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发布时间:2022-05-11 03:24:53
对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
四氯化1碳与氟1化氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。相对分子量88.00。在常温下,四氟化碳是无色、无臭、不燃的易压缩性气体,挥发性较高,是稳定的有机化合物之一,不易溶于水。四氟化1碳的溶氧性很好,因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功,在275米到366米的深度内,小白鼠仍可安全脱险。
四氟化碳(CF4)在电离后会产生含成分的刻蚀性气相等离子体,能够对各种有机表面实现刻蚀及有机物去除,在晶圆制造、线路板制造、太阳能电池板制造等行业中被广泛应用。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中,缓缓通入高浓氟气,并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。四氟化碳是一种卤代烃,化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳,也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。
在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分,经精馏而得成品。四氟化碳(CF4)在电离后会产生含成分的刻蚀性气相等离子体,能够对各种有机表面实现刻蚀及有机物去除,在晶圆制造、线路板制造、太阳能电池板制造等行业中被广泛应用。在***范围内,高纯度四氟化碳应用于欧洲、亚太地区、北美、中东、非洲和南美洲等地区,受电子产业发展程度不同影响,对于高纯度四氟化碳的需求也不同,亚洲地区由于电子产业发展落后,近几年电子电器行业处于快速发展状态,因此使得该地区的高纯度四氟化碳消费量持续攀升。
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