北京四氟化碳采购在线咨询「安徽谱纯」

对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

因为四氟化碳和四氟化1硅都是共价化合物，然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能，键长也是前者短得多，所以四氟化碳的热稳定性更好。吸入四氟化碳的后果与浓度有关，包括头1痛、恶心、头昏眼花及心血1管系统的***(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏***。在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比)，然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生***氟化物。

高纯四氟化碳是纯度在99.999%以上的四氟化碳产品，是一种无色无味气体。高纯四氟化碳不可燃烧，在常温常压条件下化学性质稳定，在密闭容器中遇高热有***，不溶于水，可溶于苯、等部分溶剂。四氟化碳是当前微电子工业中应用量高的等离子体蚀刻气体，被广泛应用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蚀刻。除此之外，四氟化碳还能在电子电器表面清洗、激光、低温制冷、太阳能电池等领域有着应用。由碳与氟反应，或与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，都能生成四氟化碳。

储存注意事项：储存于阴凉、通风的不燃气体库房。远离火种、热源。库温不宜超过30℃。应与易（可）燃物、氧化剂分开存放，切忌混储。储区应备有泄漏应急处理设备。四氟化碳作为制冷剂是一种无色不可燃气体，能够保障液体运输的安全性。在临床***中，四氟化碳还是一种高浓度的醉剂。由以上看出，四氟化碳的应用范围广泛，在下游电子产业等带动下，行业快速发展。是微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，高纯气高纯氧的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。