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发布时间:2022-01-03 12:18:00
因为四氟化碳和四氟化圭都是共价化合物,然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能,键长也是前者短得多,所以四氟化碳的热稳定性更好。相对分子量88.00。在常温下,四氟化碳是无色、无臭、不燃的易压缩性气体,挥发性较高,是稳定的有机化合物之一,不易溶于水。四氟化碳亦称全氟化碳、四氟甲1烷、全氟化碳,为非腐蚀性气体,所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜,铝等金属材料都可以使用。
对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时,四氟化碳具有单斜的结构,晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
四氟化碳的密度比较高,可以填满地面空间范围,在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉,干燥,通风的库房内,严禁曝晒,远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。
电子四氟化碳是目前半导体行业主要的等离子体蚀刻气体之一,在硅、二氧化硅、金属硅化物以及某些金属的蚀刻,以及低温制冷、电子器件表面清洗等方面被广泛应用。而电子特气系统为它保驾护航,保证四氟化碳(CF4)的纯度和安全稳定使用。在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分,经精馏而得成品。由碳与氟反应,或与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,都能生成四氟化碳。
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